热设计篇--电子器件的热损耗理论计算（一）
有限元：
2019-03-14 09:32:04
阅读数：
10283
分享到：
电子器件的耗散功率（俗称热损耗）是决定热仿真精确度的重要参数，也是电子产品热设计的基础。热损耗可以通过试验测量或者理论计算的方法确定。本文会连载几篇介绍几种常见电子器件热损耗的理论计算方法，供诸君参考使用。
电子器件产生的热量是其正常工作时必不可少的副产物。当电流流过半导体或者无源器件时，一部分功率就会以热能的形式散失掉，这部散失掉的功率称为热损耗，计算公式如下：
如果电压或者电流随着时间变化，那么热损耗由平均热损耗给出，可以用下面的公式表示：
当然上面热损耗的公式是一个笼统的公式，实际上对于不同的电子器件，公式都不一样。后续我们会分别介绍有源器件CMOS、JunctionFET、MOSFET和无源器件导线、电阻、电容器、电感器和变压器等热损耗的理论计算公式。
